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Bioxyde d'hafnium d'analyse du spectre/oxyde Hfo2 Cas d'hafnium aucun 12055-23-1
Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Description de produit détaillée
| Nombre de CAS: | 12055-23-1 | Formule moléculaire: | HfO2 |
|---|---|---|---|
| Poids moléculaire: | 210,4888 | EINECS: | 235-013-2 |
| Apparence: | poudre blanche | Densité: | 9,68 g/ml à l'owder de 25 ºC (Lit.) |
| Surligner: | pentoxyde de vanadium,Trioxyde d'antimoine |
||
Poudre blanche d'oxyde d'hafnium avec la formule HfO2 pour l'analyse du spectre
L'hafnium (HfO2) est un espace à bande large et une constante diélectrique élevée de céramique, récemment dans le domaine de la microélectronique d'industrie particulièrement est extrêmement attention, parce qu'il est le plus susceptible de remplacer le circuit intégré basé sur silicium actuel des composants de noyau de la silice diélectrique de porte de (MOSFET) de tube d'effet de gisement de semiconducteur métal oxyde (SiO2), afin de résoudre le transistor MOSFET dans le développement de la structure traditionnelle limite de SiO2/SI de taille.
1, formule moléculaire : HfO2
2. Poids moléculaire : 210,6
3. Aspect : tranches blanches ou grises, particules
4. Densité : 9.68g/cm3
5, point de fusion : 2850 degrés centigrade
6. Pression de vaporisation
À 2678 C, 1Pa
À 2875 C, 10Pa
7. Le coefficient d'expansion linéaire : 5,6 x 10-6/K
8. Solubilité : insoluble dans l'eau
8, pureté : 99,99
9. Caractéristiques de film :
Gamme légère de transmittance de 220 à 12000Nm
Indice de réfraction (250nm) | 2,15
(500nm) | 2
10. L'état de l'évaporation :
Arme à feu électronique
Pression partielle de l'oxygène à 1~2 x 10-2Pa
La température d'évaporation à 2600~2800 degrés centigrade
La température de substrat à 250 degrés centigrade
Taux d'évaporation 2nm/s
Champ d'application : Film d'antiréflexion UV, membrane d'interférence
CAS numéro 12055-23-1
Hafnium de nom de produit (iv) oxyde
Anion de l'oxygène de synonymes (- 2) ; Dioxohafnium ; Oxyde de ½ de ¿ d'ï de l'hafnium (iv) (99.998%-hf) Puratrem ; Bioxyde d'hafnium ; Oxyde d'hafnium ; Hafnium (+4) cation ; Hafniumoxidesinteredlumps ; Hafnia ; Oxyde (hfo2) d'hafnium ; Hafniumoxideoffwhitepowder ; hafnia (hfo2) ; bioxyde d'hafnium ; bioxyde d'hafnium (hfo2) ; hafnotrast ; à haute fréquence 05 ; à haute fréquence 05 (oxyde) ; nsc 158931
Formule moléculaire HfO2
Poids moléculaire 210,4888
InChI 1/Hf.2O/rHfO2/c2-1-3
EINECS 235-013-2
Données physiques
Poudre d'aspect
Densité 9,68 g/ml au ºC 25 (Lit.)
Point de fusion 2812ºC
Certificat d'analyse
| ARTICLE | CARACTÉRISTIQUES | RÉSULTATS D'ESSAI | ||||||
| HfO2+Zr (%, minute) | minute 99,9% | conformez-vous | ||||||
| Impuretés RE (%, maximum) | ||||||||
| Fe | 0,0002 | conformez-vous | ||||||
| Al | 0,0001 | conformez-vous | ||||||
| SI | 0,002 | conformez-vous | ||||||
| Ti | 0,01 | conformez-vous | ||||||
| B | 0,0025 | conformez-vous | ||||||
| Pb | 0,001 | conformez-vous | ||||||
| Cd | 0,0001 | conformez-vous | ||||||
| Cu | 0,002 | conformez-vous | ||||||
| Cr | 0,005 | conformez-vous | ||||||
| Magnésium | 0,001 | conformez-vous | ||||||
| MOIS | 0,001 | conformez-vous | ||||||
| Manganèse | 0,001 | conformez-vous | ||||||
| Ni | 0,0015 | conformez-vous | ||||||
| Sn | 0,002 | conformez-vous | ||||||
| V | 0,001 | conformez-vous | ||||||
| L.O.I (1100℃) | 1 | conformez-vous | ||||||
| L'autre index | ||||||||
| Dimension particulaire (millimètres) | 0.1-3 | se conforment | ||||||
Coordonnées
Changsha Easchem Co., Limited
Personne à contacter: andrew.liao
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